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Tanguy Phulpin, Karine Isoird, David Trémouilles, Patrick Austin

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Protection ESD pour MESFET SiC

Year: 2015 • Source: hal.science • Listed PDF

Trois MESFETs conçus au laboratoire Ampère (Lyon) et réalisé au CNM (Barcelone) Ces MESFETs sont dédiés à la réalisation de driver monolithique de JFET de puissance en SiC, travaillant en environnement sévère (>300 °C) •...